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双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
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UMF4NTR

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
晶体管类型
1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V，12V
电阻器 - 基底（R1）
2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）
2.2 千欧
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
20 @ 20mA，5V / 270 @ 10mA，2V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
频率 - 跃迁
250MHz，260MHz
功率 - 最大值
150mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
UMT6
商品其它信息
优势价格，UMF4NTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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