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FET，MOSFET - 阵列

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EFC4618R-P-TR

制造商:ON Semiconductor
批号:新批次
描述:MOSFET 2N-CH EFCP1818
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	停產
FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	25.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
功率 - 最大值	1.6W
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	4-XBGA，4-FCBGA
供应商器件封装	EFCP1313-4CC-037

商品其它信息

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